SE12DBHM3/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division SE12DBHM3/I

SE12DBHM3/I

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Numéro d'article	SE12DBHM3/I
LIXINC Part #	SE12DBHM3/I
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 100V 3.2A TO263AC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SE12DBHM3/I Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SE12DBHM3/I Caractéristiques

Numéro d'article:	SE12DBHM3/I
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	Automotive, AEC-Q101, eSMP®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	100 V
courant - moyen redressé (io):	3.2A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.15 V @ 12 A
vitesse:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	3 µs
courant - fuite inverse @ vr:	20 µA @ 100 V
capacité @ vr, f:	90pF @ 4V, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-263AC (SMPD)
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 175°C