BFR193WH6327XTSA1

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Numéro d'article BFR193WH6327XTSA1
LIXINC Part # BFR193WH6327XTSA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - rf
Description RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BFR193WH6327XTSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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BFR193WH6327XTSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:BFR193WH6327XTSA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):12V
fréquence - transition:8GHz
facteur de bruit (db typ @ f):1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
gagner:10.5dB ~ 16dB
puissance - maximum:580mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 30mA, 8V
courant - collecteur (ic) (max):80mA
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SC-70, SOT-323
paquet de dispositif de fournisseur:PG-SOT323-3

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