BFU630F,115 | NXP Semiconductors BFU630F,115 | BFU630F,115 Inventory, Best Pricing

BFU630F,115

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Numéro d'article	BFU630F,115
LIXINC Part #	BFU630F,115
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description	RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BFU630F,115 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BFU630F,115 Caractéristiques

Numéro d'article:	BFU630F,115
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
à transistors:	NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):	5.5V
fréquence - transition:	21GHz
facteur de bruit (db typ @ f):	0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
gagner:	13dB ~ 22.5dB
puissance - maximum:	200mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	90 @ 5mA, 2V
courant - collecteur (ic) (max):	30mA
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SOT-343F
paquet de dispositif de fournisseur:	4-DFP