BFS481H6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BFS481H6327XTSA1 | BFS481H6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BFS481H6327XTSA1

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Numéro d'article	BFS481H6327XTSA1
LIXINC Part #	BFS481H6327XTSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description	RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BFS481H6327XTSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BFS481H6327XTSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	BFS481H6327XTSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
à transistors:	2 NPN (Dual)
tension - claquage collecteur émetteur (max):	12V
fréquence - transition:	8GHz
facteur de bruit (db typ @ f):	0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
gagner:	20dB
puissance - maximum:	175mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 5mA, 8V
courant - collecteur (ic) (max):	20mA
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
paquet de dispositif de fournisseur:	P-SOT363-6