MT3S113TU,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF

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Numéro d'article	MT3S113TU,LF
LIXINC Part #	MT3S113TU,LF
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description	RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT3S113TU,LF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MT3S113TU,LF Caractéristiques

Numéro d'article:	MT3S113TU,LF
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
à transistors:	NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):	5.3V
fréquence - transition:	11.2GHz
facteur de bruit (db typ @ f):	1.45dB @ 1GHz
gagner:	12.5dB
puissance - maximum:	900mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 30mA, 5V
courant - collecteur (ic) (max):	100mA
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	3-SMD, Flat Lead
paquet de dispositif de fournisseur:	UFM