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MRF8P9040GNR1

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Numéro d'article	MRF8P9040GNR1
LIXINC Part #	MRF8P9040GNR1
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description	FET RF 2CH 70V 960MHZ TO-270
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MRF8P9040GNR1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MRF8P9040GNR1 Caractéristiques

Numéro d'article:	MRF8P9040GNR1
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Not For New Designs
à transistors:	LDMOS (Dual)
fréquence:	960MHz
gagner:	19.1dB
tension - test:	28 V
courant nominal (ampères):	-
figure de bruit:	-
courant - test:	320 mA
puissance - sortie:	4W
tension - nominale:	70 V
paquet / caisse:	TO-270BB
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-270 WB-4 Gull

PD85035S-E	FET RF 40V 870MHZ	932 Plus sur la commande
MRF6S27085HR5	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	1032 Plus sur la commande
PD85025S-E	FET RF 40V 870MHZ	880 Plus sur la commande
CGHV14800F	RF MOSFET HEMT 50V 440117	1033 Plus sur la commande
BLF7G22LS-250P,118	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B	874 Plus sur la commande
BLF8G10LS-160,112	RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F	832 Plus sur la commande
BLF7G10LS-250,112	N-CHANNEL, MOSFET	1051 Plus sur la commande
BLD6G21L-50,112	RF TRANSISTOR	887 Plus sur la commande
BLF6G20LS-110,112	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B	829 Plus sur la commande
BLP05H635XRY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232	908 Plus sur la commande
BLL1214-250	RF PFET, 1-ELEMENT, L BAND, SILI	968 Plus sur la commande
BLS6G2735LS-30,112	RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135B	1025 Plus sur la commande
MRF6S9045NR1	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	825 Plus sur la commande