NE3513M04-T2B-A | Rochester Electronics NE3513M04-T2B-A | NE3513M04-T2B-A Inventory, Best Pricing

NE3513M04-T2B-A

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Numéro d'article	NE3513M04-T2B-A
LIXINC Part #	NE3513M04-T2B-A
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NE3513M04-T2B-A Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NE3513M04-T2B-A Caractéristiques

Numéro d'article:	NE3513M04-T2B-A
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	N-Channel GaAs HJ-FET
fréquence:	12GHz
gagner:	13dB
tension - test:	2 V
courant nominal (ampères):	60mA
figure de bruit:	0.65dB
courant - test:	10 mA
puissance - sortie:	125mW
tension - nominale:	4 V
paquet / caisse:	4-SMD, Flat Leads
paquet de dispositif de fournisseur:	4-Super Mini Mold