BYV415K-600PQ | WeEn Semiconductors Co., Ltd BYV415K-600PQ | BYV415K-600PQ Inventory, Best Pricing

BYV415K-600PQ

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	BYV415K-600PQ
LIXINC Part #	BYV415K-600PQ
Fabricant	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - barrettes
Description	DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BYV415K-600PQ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 24 - Oct 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BYV415K-600PQ Caractéristiques

Numéro d'article:	BYV415K-600PQ
Marque:	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - barrettes
Fabricant:	WeEn Semiconductors Co., Ltd
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
configuration des diodes:	1 Pair Common Cathode
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	600 V
courant - moyen redressé (io) (par diode):	15A
tension - avant (vf) (max) @ si:	2.1 V @ 15 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	45 ns
courant - fuite inverse @ vr:	10 µA @ 600 V
température de fonctionnement - jonction:	-65°C ~ 175°C
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-3P-3, SC-65-3
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-3P