HN1D02FU(T5L,F,T) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN1D02FU(T5L,F,T) | HN1D02FU(T5L,F,T) Inventory, Best Pricing

HN1D02FU(T5L,F,T)

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Numéro d'article	HN1D02FU(T5L,F,T)
LIXINC Part #	HN1D02FU(T5L,F,T)
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - barrettes
Description	DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	HN1D02FU(T5L,F,T) Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 24 - Oct 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

HN1D02FU(T5L,F,T) Caractéristiques

Numéro d'article:	HN1D02FU(T5L,F,T)
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - barrettes
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
configuration des diodes:	2 Pair Common Cathode
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	80 V
courant - moyen redressé (io) (par diode):	100mA
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.2 V @ 100 mA
vitesse:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
temps de récupération inverse (trr):	4 ns
courant - fuite inverse @ vr:	500 nA @ 80 V
température de fonctionnement - jonction:	125°C (Max)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SOT-563, SOT-666
paquet de dispositif de fournisseur:	US6