MBR60080CTR | GeneSiC Semiconductor MBR60080CTR | MBR60080CTR Inventory, Best Pricing

MBR60080CTR

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	MBR60080CTR
LIXINC Part #	MBR60080CTR
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - barrettes
Description	DIODE MODULE 80V 300A 2TOWER
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MBR60080CTR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 24 - Oct 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MBR60080CTR Caractéristiques

Numéro d'article:	MBR60080CTR
Marque:	GeneSiC Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - barrettes
Fabricant:	GeneSiC Semiconductor
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
configuration des diodes:	1 Pair Common Anode
type de diodes:	Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):	80 V
courant - moyen redressé (io) (par diode):	300A
tension - avant (vf) (max) @ si:	880 mV @ 300 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	1 mA @ 20 V
température de fonctionnement - jonction:	-
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Twin Tower
paquet de dispositif de fournisseur:	Twin Tower