DDB6U215N16LHOSA1 | IR (Infineon Technologies) DDB6U215N16LHOSA1 | DDB6U215N16LHOSA1 Inventory, Best Pricing

DDB6U215N16LHOSA1

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Numéro d'article	DDB6U215N16LHOSA1
LIXINC Part #	DDB6U215N16LHOSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - barrettes
Description	DIODE MODULE GP 1600V
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	DDB6U215N16LHOSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 25 - Oct 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

DDB6U215N16LHOSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	DDB6U215N16LHOSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - barrettes
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
configuration des diodes:	3 Independent
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	1600 V
courant - moyen redressé (io) (par diode):	-
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.61 V @ 300 A
vitesse:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	10 mA @ 1600 V
température de fonctionnement - jonction:	-40°C ~ 150°C
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	Module