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MSRT200160(A)D

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Numéro d'article	MSRT200160(A)D
LIXINC Part #	MSRT200160(A)D
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - barrettes
Description	DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MSRT200160(A)D Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 24 - Oct 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MSRT200160(A)D Caractéristiques

Numéro d'article:	MSRT200160(A)D
Marque:	GeneSiC Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - barrettes
Fabricant:	GeneSiC Semiconductor
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
configuration des diodes:	1 Pair Series Connection
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	1600 V
courant - moyen redressé (io) (par diode):	200A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.1 V @ 200 A
vitesse:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	10 µA @ 1600 V
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 150°C
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Three Tower
paquet de dispositif de fournisseur:	Three Tower