NHP620MFDT3G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NHP620MFDT3G

NHP620MFDT3G

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Numéro d'article	NHP620MFDT3G
LIXINC Part #	NHP620MFDT3G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - barrettes
Description	DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NHP620MFDT3G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 24 - Oct 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NHP620MFDT3G Caractéristiques

Numéro d'article:	NHP620MFDT3G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - barrettes
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	Automotive, AEC-Q101
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
configuration des diodes:	2 Independent
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	200 V
courant - moyen redressé (io) (par diode):	3A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1 V @ 3 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	25 ns
courant - fuite inverse @ vr:	500 nA @ 200 V
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 175°C
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-PowerTDFN
paquet de dispositif de fournisseur:	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)