MURHB860CTT4G

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Numéro d'article MURHB860CTT4G
LIXINC Part # MURHB860CTT4G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - barrettes
Description DIODE ARRAY GP 600V 4A D2PAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MURHB860CTT4G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MURHB860CTT4G Caractéristiques

Numéro d'article:MURHB860CTT4G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - barrettes
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:MEGAHERTZ™
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
configuration des diodes:1 Pair Common Cathode
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):600 V
courant - moyen redressé (io) (par diode):4A
tension - avant (vf) (max) @ si:2.8 V @ 4 A
vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):35 ns
courant - fuite inverse @ vr:10 µA @ 600 V
température de fonctionnement - jonction:-65°C ~ 175°C
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquet de dispositif de fournisseur:D2PAK-3

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