MBR2X080A120 | GeneSiC Semiconductor MBR2X080A120 | MBR2X080A120 Inventory, Best Pricing

MBR2X080A120

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Numéro d'article	MBR2X080A120
LIXINC Part #	MBR2X080A120
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - barrettes
Description	DIODE SCHOTTKY 120V 80A SOT227
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MBR2X080A120 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MBR2X080A120 Caractéristiques

Numéro d'article:	MBR2X080A120
Marque:	GeneSiC Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - barrettes
Fabricant:	GeneSiC Semiconductor
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
configuration des diodes:	2 Independent
type de diodes:	Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):	120 V
courant - moyen redressé (io) (par diode):	80A
tension - avant (vf) (max) @ si:	880 mV @ 80 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	3 mA @ 120 V
température de fonctionnement - jonction:	-40°C ~ 150°C
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	SOT-227-4, miniBLOC
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-227