HN2S03FUTE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN2S03FUTE85LF

HN2S03FUTE85LF

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Numéro d'article	HN2S03FUTE85LF
LIXINC Part #	HN2S03FUTE85LF
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - barrettes
Description	DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V US6
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	HN2S03FUTE85LF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

HN2S03FUTE85LF Caractéristiques

Numéro d'article:	HN2S03FUTE85LF
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - barrettes
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
configuration des diodes:	3 Independent
type de diodes:	Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):	20 V
courant - moyen redressé (io) (par diode):	50mA
tension - avant (vf) (max) @ si:	550 mV @ 50 mA
vitesse:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	500 nA @ 20 V
température de fonctionnement - jonction:	125°C (Max)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquet de dispositif de fournisseur:	US6