BZT52C8V2-E3-08 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZT52C8V2-E3-08

BZT52C8V2-E3-08

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Numéro d'article	BZT52C8V2-E3-08
LIXINC Part #	BZT52C8V2-E3-08
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - zener - simples
Description	DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BZT52C8V2-E3-08 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

BZT52C8V2-E3-08 Caractéristiques

Numéro d'article:	BZT52C8V2-E3-08
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - zener - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
tension - zener (nom) (vz):	8.2 V
tolérance:	±5%
puissance - maximum:	410 mW
impédance (max) (zzt):	4.5 Ohms
courant - fuite inverse @ vr:	100 nA @ 6 V
tension - avant (vf) (max) @ si:	-
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SOD-123
paquet de dispositif de fournisseur:	SOD-123