2SK879-Y(TE85L,F)

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Numéro d'article 2SK879-Y(TE85L,F)
LIXINC Part # 2SK879-Y(TE85L,F)
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors-jfets
Description JFET N-CH 0.1W USM
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 2SK879-Y(TE85L,F) Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

2SK879-Y(TE85L,F) Caractéristiques

Numéro d'article:2SK879-Y(TE85L,F)
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors-jfets
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
tension - claquage (v(br)gss):-
tension drain-source (vdss):-
courant - drain (idss) @ vds (vgs=0):1.2 mA @ 10 V
consommation de courant (id) - max:-
tension - coupure (vgs off) @ id:400 mV @ 100 nA
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:8.2pF @ 10V
résistance - rds(on):-
puissance - maximum:100 mW
température de fonctionnement:125°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SC-70, SOT-323
paquet de dispositif de fournisseur:USM

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