MMBFJ108

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Numéro d'article MMBFJ108
LIXINC Part # MMBFJ108
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors-jfets
Description JFET N-CH 25V 350MW SSOT3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MMBFJ108 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MMBFJ108 Caractéristiques

Numéro d'article:MMBFJ108
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors-jfets
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
tension - claquage (v(br)gss):25 V
tension drain-source (vdss):-
courant - drain (idss) @ vds (vgs=0):80 mA @ 15 V
consommation de courant (id) - max:-
tension - coupure (vgs off) @ id:3 V @ 10 nA
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:-
résistance - rds(on):8 Ohms
puissance - maximum:350 mW
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquet de dispositif de fournisseur:SuperSOT-3

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