PMDPB56XNEAX | Nexperia PMDPB56XNEAX | PMDPB56XNEAX Inventory, Best Pricing

PMDPB56XNEAX

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	PMDPB56XNEAX
LIXINC Part #	PMDPB56XNEAX
Fabricant	Nexperia
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	PMDPB56XNEAX Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

PMDPB56XNEAX Caractéristiques

Numéro d'article:	PMDPB56XNEAX
Marque:	Nexperia
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	Nexperia
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Standard
tension drain-source (vdss):	30V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	3.1A (Ta)
rds sur (max) @ id, vgs:	72mOhm @ 3.1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.25V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	5nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	256pF @ 15V
puissance - maximum:	485mW (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	6-UDFN Exposed Pad
paquet de dispositif de fournisseur:	DFN2020D-6