SI3585CDV-T1-GE3

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Numéro d'article SI3585CDV-T1-GE3
LIXINC Part # SI3585CDV-T1-GE3
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SI3585CDV-T1-GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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SI3585CDV-T1-GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:SI3585CDV-T1-GE3
Marque:Vishay / Siliconix
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:Vishay / Siliconix
série:TrenchFET®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N and P-Channel
fonction fet:Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):20V
courant - drain continu (id) @ 25°c:3.9A, 2.1A
rds sur (max) @ id, vgs:58mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:4.8nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:150pF @ 10V
puissance - maximum:1.4W, 1.3W
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
paquet de dispositif de fournisseur:6-TSOP

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