RN1966FE(TE85L,F)

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Numéro d'article RN1966FE(TE85L,F)
LIXINC Part # RN1966FE(TE85L,F)
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Description TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO RN1966FE(TE85L,F) Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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RN1966FE(TE85L,F) Caractéristiques

Numéro d'article:RN1966FE(TE85L,F)
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Obsolete
à transistors:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max):100mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
résistance - base (r1):4.7kOhms
résistance - base émettrice (r2):47kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
fréquence - transition:250MHz
puissance - maximum:100mW
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SOT-563, SOT-666
paquet de dispositif de fournisseur:ES6

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