RN1901FETE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1901FETE85LF

RN1901FETE85LF

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Numéro d'article	RN1901FETE85LF
LIXINC Part #	RN1901FETE85LF
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Description	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RN1901FETE85LF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

RN1901FETE85LF Caractéristiques

Numéro d'article:	RN1901FETE85LF
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
à transistors:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max):	100mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	50V
résistance - base (r1):	4.7kOhms
résistance - base émettrice (r2):	4.7kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	30 @ 10mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
courant - coupure collecteur (max):	100nA (ICBO)
fréquence - transition:	250MHz
puissance - maximum:	100mW
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SOT-563, SOT-666
paquet de dispositif de fournisseur:	ES6