NSBA113EDXV6T1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G

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Numéro d'article	NSBA113EDXV6T1G
LIXINC Part #	NSBA113EDXV6T1G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Description	TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NSBA113EDXV6T1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NSBA113EDXV6T1G Caractéristiques

Numéro d'article:	NSBA113EDXV6T1G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
à transistors:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max):	100mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	50V
résistance - base (r1):	1kOhms
résistance - base émettrice (r2):	1kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	3 @ 5mA, 10V
vce saturation (max) @ ib, ic:	250mV @ 5mA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):	500nA
fréquence - transition:	-
puissance - maximum:	250mW
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquet de dispositif de fournisseur:	SC-88/SC70-6/SOT-363