FF1200R17KE3NOSA1

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Numéro d'article FF1200R17KE3NOSA1
LIXINC Part # FF1200R17KE3NOSA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbt - modules
Description IGBT MODULE VCES 1700V 1200A
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FF1200R17KE3NOSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FF1200R17KE3NOSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:FF1200R17KE3NOSA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbt - modules
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Not For New Designs
type d'igbt:-
configuration:Single Chopper
tension - claquage collecteur émetteur (max):1700 V
courant - collecteur (ic) (max):-
puissance - maximum:595000 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.45V @ 15V, 1200A
courant - coupure collecteur (max):5 mA
capacité d'entrée (cies) @ vce:110 nF @ 25 V
saisir:Standard
thermistance ntc:No
température de fonctionnement:-40°C ~ 125°C
Type de montage:Chassis Mount
paquet / caisse:Module
paquet de dispositif de fournisseur:Module

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