IFF600B12ME4PB11BPSA1

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Numéro d'article IFF600B12ME4PB11BPSA1
LIXINC Part # IFF600B12ME4PB11BPSA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbt - modules
Description IGBT MOD 1200V 600A 40W
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IFF600B12ME4PB11BPSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IFF600B12ME4PB11BPSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IFF600B12ME4PB11BPSA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbt - modules
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:EconoDUAL™ 3
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type d'igbt:Trench Field Stop
configuration:Half Bridge
tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
courant - collecteur (ic) (max):600 A
puissance - maximum:40 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 600A
courant - coupure collecteur (max):3 mA
capacité d'entrée (cies) @ vce:37 nF @ 25 V
saisir:Standard
thermistance ntc:Yes
température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
paquet / caisse:Module
paquet de dispositif de fournisseur:Module

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