FP7G75US60 | Rochester Electronics FP7G75US60 | FP7G75US60 Inventory, Best Pricing

FP7G75US60

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	FP7G75US60
LIXINC Part #	FP7G75US60
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FP7G75US60 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FP7G75US60 Caractéristiques

Numéro d'article:	FP7G75US60
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	Power-SPM™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type d'igbt:	-
configuration:	Half Bridge
tension - claquage collecteur émetteur (max):	600 V
courant - collecteur (ic) (max):	75 A
puissance - maximum:	310 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.8V @ 15V, 75A
courant - coupure collecteur (max):	250 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	4.515 nF @ 30 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	No
température de fonctionnement:	-40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	EPM7
paquet de dispositif de fournisseur:	EPM7