FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 | IR (Infineon Technologies) FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 | FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 Inventory, Best Pricing

FS3L30R07W2H3FB11BPSA2

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	FS3L30R07W2H3FB11BPSA2
LIXINC Part #	FS3L30R07W2H3FB11BPSA2
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MOD 650V 30A 20MW
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 Caractéristiques

Numéro d'article:	FS3L30R07W2H3FB11BPSA2
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	EasyPACK™ 2B
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	Trench Field Stop
configuration:	Three Phase Inverter
tension - claquage collecteur émetteur (max):	650 V
courant - collecteur (ic) (max):	30 A
puissance - maximum:	20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.9V @ 15V, 30A
courant - coupure collecteur (max):	1 mA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	1.65 nF @ 25 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	Yes
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	Module