FS75R12W2T4BOMA1 | IR (Infineon Technologies) FS75R12W2T4BOMA1 | FS75R12W2T4BOMA1 Inventory, Best Pricing

FS75R12W2T4BOMA1

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Numéro d'article	FS75R12W2T4BOMA1
LIXINC Part #	FS75R12W2T4BOMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MOD 1200V 107A 375W
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FS75R12W2T4BOMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FS75R12W2T4BOMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	FS75R12W2T4BOMA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	Trench Field Stop
configuration:	Full Bridge
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	107 A
puissance - maximum:	375 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.15V @ 15V, 75A
courant - coupure collecteur (max):	1 mA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	4.3 nF @ 25 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	Yes
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	Module

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FS100R07N2E4BOSA1	IGBT MOD 650V 100A 335W	896 Plus sur la commande
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