F4100R12KS4BOSA1 | IR (Infineon Technologies) F4100R12KS4BOSA1 | F4100R12KS4BOSA1 Inventory, Best Pricing

F4100R12KS4BOSA1

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Numéro d'article	F4100R12KS4BOSA1
LIXINC Part #	F4100R12KS4BOSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - igbt - modules
Description	IGBT MOD 1200V 130A 660W
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	F4100R12KS4BOSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

F4100R12KS4BOSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	F4100R12KS4BOSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - igbt - modules
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	-
configuration:	Three Phase Inverter
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	130 A
puissance - maximum:	660 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	3.75V @ 15V, 100A
courant - coupure collecteur (max):	5 mA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	6.8 nF @ 25 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	Yes
température de fonctionnement:	-40°C ~ 125°C
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	Module