G2SB80-E3/51 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division G2SB80-E3/51

G2SB80-E3/51

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Numéro d'article	G2SB80-E3/51
LIXINC Part #	G2SB80-E3/51
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - ponts redresseurs
Description	BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	G2SB80-E3/51 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 27 - Oct 31 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

G2SB80-E3/51 Caractéristiques

Numéro d'article:	G2SB80-E3/51
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - ponts redresseurs
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Single Phase
technologie:	Standard
tension - crête inverse (max):	800 V
courant - moyen redressé (io):	1.5 A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1 V @ 750 mA
courant - fuite inverse @ vr:	50 µA @ 600 V
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	4-SIP, GBL
paquet de dispositif de fournisseur:	GBL