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W979H6KBVX2E TR

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Numéro d'article W979H6KBVX2E TR
LIXINC Part # W979H6KBVX2E TR
Fabricant Winbond Electronics Corporation
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO W979H6KBVX2E TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 17 - Oct 21 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

W979H6KBVX2E TR Caractéristiques

Numéro d'article:W979H6KBVX2E TR
Marque:Winbond Electronics Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Winbond Electronics Corporation
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - Mobile LPDDR2
taille mémoire:512Mb (32M x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:400 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.14V ~ 1.95V
température de fonctionnement:-25°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:134-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:134-VFBGA (10x11.5)

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