71V124SA10YG

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Numéro d'article	71V124SA10YG
LIXINC Part #	71V124SA10YG
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	71V124SA10YG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 04 - Jul 08 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

71V124SA10YG Caractéristiques

Numéro d'article:	71V124SA10YG
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Asynchronous
taille mémoire:	1Mb (128K x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	10ns
temps d'accès:	10 ns
tension - alimentation:	3.15V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	32-SOJ

71V124SA10YG Documents

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