W987D2HBJX6E TR

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Numéro d'article W987D2HBJX6E TR
LIXINC Part # W987D2HBJX6E TR
Fabricant Winbond Electronics Corporation
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO W987D2HBJX6E TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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W987D2HBJX6E TR Caractéristiques

Numéro d'article:W987D2HBJX6E TR
Marque:Winbond Electronics Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Winbond Electronics Corporation
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Not For New Designs
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - Mobile LPSDR
taille mémoire:128Mb (4M x 32)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:166 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
temps d'accès:5.4 ns
tension - alimentation:1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:-25°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:90-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:90-VFBGA (8x13)

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