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BR25G512FJ-3GE2

BR25G512FJ-3GE2
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Numéro d'article BR25G512FJ-3GE2
LIXINC Part # BR25G512FJ-3GE2
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC EEPROM 512KBIT SPI 8SOPJ
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BR25G512FJ-3GE2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 28 - Nov 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BR25G512FJ-3GE2 Caractéristiques

Numéro d'article:BR25G512FJ-3GE2
Marque:ROHM Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:ROHM Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:EEPROM
technologie:EEPROM
taille mémoire:512Kb (64K x 8)
interface mémoire:SPI
fréquence d'horloge:10 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:5ms
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.8V ~ 5.5V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:8-SOP-J

BR25G512FJ-3GE2 Documents

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