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BR25G128FVT-3GE2

BR25G128FVT-3GE2
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Numéro d'article BR25G128FVT-3GE2
LIXINC Part # BR25G128FVT-3GE2
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC EEPROM 128KBIT SPI 8TSSOPB
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BR25G128FVT-3GE2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BR25G128FVT-3GE2 Caractéristiques

Numéro d'article:BR25G128FVT-3GE2
Marque:ROHM Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:ROHM Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:EEPROM
technologie:EEPROM
taille mémoire:128Kb (16K x 8)
interface mémoire:SPI
fréquence d'horloge:20 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:5ms
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.6V ~ 5.5V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:8-TSSOP-B

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