DS2045Y-100#

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Numéro d'article DS2045Y-100#
LIXINC Part # DS2045Y-100#
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 256BGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO DS2045Y-100# Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 31 - Nov 04 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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DS2045Y-100# Caractéristiques

Numéro d'article:DS2045Y-100#
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:NVSRAM
technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:1Mb (128K x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:100ns
temps d'accès:100 ns
tension - alimentation:4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:256-BGA
paquet de dispositif de fournisseur:256-BGA (27x27)

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