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CYDMX128A16-65BVXI

CYDMX128A16-65BVXI
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Numéro d'article CYDMX128A16-65BVXI
LIXINC Part # CYDMX128A16-65BVXI
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description DUAL-PORT SRAM, 8KX16, 65NS PBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CYDMX128A16-65BVXI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 31 - Nov 04 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CYDMX128A16-65BVXI Caractéristiques

Numéro d'article:CYDMX128A16-65BVXI
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Dual Port, MoBL
taille mémoire:128Kb (8K x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:65ns
temps d'accès:65 ns
tension - alimentation:1.8V ~ 3.3V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:100-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:100-VFBGA (6x6)

CYDMX128A16-65BVXI Documents

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