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CY62147GN18-55BVXI

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Numéro d'article CY62147GN18-55BVXI
LIXINC Part # CY62147GN18-55BVXI
Fabricant Cypress Semiconductor
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CY62147GN18-55BVXI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Nov 01 - Nov 05 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY62147GN18-55BVXI Caractéristiques

Numéro d'article:CY62147GN18-55BVXI
Marque:Cypress Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Cypress Semiconductor
série:MoBL®
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Asynchronous
taille mémoire:4Mb (256K x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:55ns
temps d'accès:55 ns
tension - alimentation:1.65V ~ 2.2V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:48-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:48-VFBGA (6x8)

CY62147GN18-55BVXI Documents

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