71256S35TDB

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Numéro d'article	71256S35TDB
LIXINC Part #	71256S35TDB
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	71256S35TDB Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

71256S35TDB Caractéristiques

Numéro d'article:	71256S35TDB
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Asynchronous
taille mémoire:	256Kb (32K x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	35ns
temps d'accès:	35 ns
tension - alimentation:	4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:	-55°C ~ 125°C (TA)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	28-CDIP (0.300", 7.62mm)
paquet de dispositif de fournisseur:	28-CDIP

71256S35TDB Documents

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