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CY62157DV30LL-55ZSXI

CY62157DV30LL-55ZSXI
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Numéro d'article CY62157DV30LL-55ZSXI
LIXINC Part # CY62157DV30LL-55ZSXI
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CY62157DV30LL-55ZSXI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 18 - Oct 22 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY62157DV30LL-55ZSXI Caractéristiques

Numéro d'article:CY62157DV30LL-55ZSXI
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:MoBL®
emballer:Bag
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Asynchronous
taille mémoire:8Mb (512K x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:55ns
temps d'accès:55 ns
tension - alimentation:2.2V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:44-TSOP II

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