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S29GL512T12TFVV10

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Numéro d'article S29GL512T12TFVV10
LIXINC Part # S29GL512T12TFVV10
Fabricant Cypress Semiconductor
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO S29GL512T12TFVV10 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

S29GL512T12TFVV10 Caractéristiques

Numéro d'article:S29GL512T12TFVV10
Marque:Cypress Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Cypress Semiconductor
série:GL-T
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NOR
taille mémoire:512Mb (64M x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:60ns
temps d'accès:120 ns
tension - alimentation:1.65V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 105°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:56-TSOP

S29GL512T12TFVV10 Documents

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