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TC58NVG0S3HBAI4

TC58NVG0S3HBAI4
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Numéro d'article TC58NVG0S3HBAI4
LIXINC Part # TC58NVG0S3HBAI4
Fabricant Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TC58NVG0S3HBAI4 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TC58NVG0S3HBAI4 Caractéristiques

Numéro d'article:TC58NVG0S3HBAI4
Marque:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NAND (SLC)
taille mémoire:1Gb (128M x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:25ns
temps d'accès:25 ns
tension - alimentation:2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:63-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:63-TFBGA (9x11)

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