AS4C8M32MSA-6BINTR

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Numéro d'article AS4C8M32MSA-6BINTR
LIXINC Part # AS4C8M32MSA-6BINTR
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO AS4C8M32MSA-6BINTR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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AS4C8M32MSA-6BINTR Caractéristiques

Numéro d'article:AS4C8M32MSA-6BINTR
Marque:Alliance Memory, Inc.
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Alliance Memory, Inc.
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - Mobile
taille mémoire:256Mb (8M x 32)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:166 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
temps d'accès:5.5 ns
tension - alimentation:1.14V ~ 1.95V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:90-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:90-FBGA (8x13)

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