CY62177EV18LL-70BAXI

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Numéro d'article	CY62177EV18LL-70BAXI
LIXINC Part #	CY62177EV18LL-70BAXI
Fabricant	Cypress Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CY62177EV18LL-70BAXI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

CY62177EV18LL-70BAXI Caractéristiques

Numéro d'article:	CY62177EV18LL-70BAXI
Marque:	Cypress Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Cypress Semiconductor
série:	MoBL®
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Asynchronous
taille mémoire:	32Mb (4M x 8, 2M x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	70ns
temps d'accès:	70 ns
tension - alimentation:	1.65V ~ 2.25V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	48-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	48-FBGA (8x9.5)

CY62177EV18LL-70BAXI Documents

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