CY14V116N-BZ30XIT

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Numéro d'article CY14V116N-BZ30XIT
LIXINC Part # CY14V116N-BZ30XIT
Fabricant Cypress Semiconductor
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CY14V116N-BZ30XIT Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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CY14V116N-BZ30XIT Caractéristiques

Numéro d'article:CY14V116N-BZ30XIT
Marque:Cypress Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Cypress Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:NVSRAM
technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:16Mb (1M x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:30ns
temps d'accès:30 ns
tension - alimentation:1.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:165-LBGA
paquet de dispositif de fournisseur:165-FBGA (15x17)

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