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71V30L35TFGI8

71V30L35TFGI8
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Numéro d'article 71V30L35TFGI8
LIXINC Part # 71V30L35TFGI8
Fabricant Renesas Electronics America
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 8KBIT PARALLEL 64TQFP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 71V30L35TFGI8 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

71V30L35TFGI8 Caractéristiques

Numéro d'article:71V30L35TFGI8
Marque:Renesas Electronics America
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Renesas Electronics America
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Dual Port, Asynchronous
taille mémoire:8Kb (1K x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:35ns
temps d'accès:35 ns
tension - alimentation:3V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:64-LQFP
paquet de dispositif de fournisseur:64-TQFP (10x10)

71V30L35TFGI8 Documents

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