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DS2030Y-100#

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Numéro d'article	DS2030Y-100#
LIXINC Part #	DS2030Y-100#
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	DS2030Y-100# Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

DS2030Y-100# Caractéristiques

Numéro d'article:	DS2030Y-100#
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	NVSRAM
technologie:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:	256Kb (32K x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	100ns
temps d'accès:	100 ns
tension - alimentation:	4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	256-BGA
paquet de dispositif de fournisseur:	256-BGA (27x27)