CY62256EV18LL-70SNXI

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Numéro d'article	CY62256EV18LL-70SNXI
LIXINC Part #	CY62256EV18LL-70SNXI
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CY62256EV18LL-70SNXI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 24 - Oct 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

CY62256EV18LL-70SNXI Caractéristiques

Numéro d'article:	CY62256EV18LL-70SNXI
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	MoBL®
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Asynchronous
taille mémoire:	256Kb (32K x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	70ns
temps d'accès:	70 ns
tension - alimentation:	1.65V ~ 2.25V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	28-SOIC

CY62256EV18LL-70SNXI Documents

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