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CY14ME256J2-SXI

CY14ME256J2-SXI
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Numéro d'article CY14ME256J2-SXI
LIXINC Part # CY14ME256J2-SXI
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC NVSRAM 256KBIT I2C 8SOIC
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CY14ME256J2-SXI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 28 - Nov 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY14ME256J2-SXI Caractéristiques

Numéro d'article:CY14ME256J2-SXI
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:NVSRAM
technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:256Kb (32K x 8)
interface mémoire:I²C
fréquence d'horloge:3.4 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:8-SOIC

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